Samsung 量产业界首款 512GB eUFS 3.0 内存芯片

2019年2月28日 4:53 发表评论 阅读评论

随着智慧型装置的储存空间愈来愈大,相关的芯片技术也要积极提速才能平衡需要。Samsung 今天宣布正式量产新的 512GB 和 128GB eUFS 3.0 内存芯片,前者叠合了 8 层第 5 代 V-NAND,配合高效能的控制器,将会有着比前代 eUFS 2.1 快 2 倍的读取速度,达 2,100MB/s;写入速度也有 1.58 倍的加乘,至 410MB/s。Samsung 量产业界首款 512GB eUFS 3.0 内存芯片

Samsung 量产业界首款 512GB eUFS 3.0 内存芯片

Samsung 于新闻稿表示,如此的速度的内存芯片,过往只有用于超薄笔记本电脑才会有的。但今天的 512GB eUFS 3.0…

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