Samsung 突破瓶颈,成功量产 16Gb LPDDR5 内存芯片

2020年9月1日 5:25 发表评论 阅读评论

Samsung 突破瓶颈,成功量产 16Gb LPDDR5 内存芯片

Samsung 宣布他们成功在第三代 10nm 级制程工艺上,利用极紫外光光刻技术,量产业界首批 16Gb LPDDR5 内存芯片,让他们能突破量产高阶芯片的瓶颈。Samsung 突破瓶颈,成功量产 16Gb LPDDR5 内存芯片

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