Samsung 突破瓶颈，成功量产 16Gb LPDDR5 内存芯片
Samsung 突破瓶颈，成功量产 16Gb LPDDR5 内存芯片
Samsung 宣布他们成功在第三代 10nm 级制程工艺上，利用极紫外光光刻技术，量产业界首批 16Gb LPDDR5 内存芯片，让他们能突破量产高阶芯片的瓶颈。Samsung 突破瓶颈，成功量产 16Gb LPDDR5 内存芯片
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分类: 酷炫数码